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Los fabricantes de semiconductores buscan el más alto rendimiento casi siempre con grandes restricciones de tiempo. Cualquier tipo de defecto debe ser descubierto ya en la fase de diseño y también durante el proceso prototipado hasta la fabricación. Esta inspección deben incluir las irregularidades más difíciles de detectar y que pueden traer fallos en la funcionalidad final de la aplicación.

El control de defectos basado en las cámaras térmicas SWIR proporciona una información precisa sobre la estabilidad del proceso y el éxito de la calidad final del producto, gracias a la capacidad de detectar los bajos niveles de emisión de photons encontrados en los defectos de las redes de semiconductores. Los defectos en las estructuras de cristal de los semiconductores son expuestos por la baja emisión en el espectro de infrarrojo cercano (SWIR). Esto convierte a las cámaras más modernas y de alta sensibilidad SWIR en las más adecuadas para una rápida y precisa localización de defectos.

El procedimiento utilizado es conocido como Microscopia de Fotoemisión (PEM). La microscopía de fotoemisión, o microscopía de emisión de luz, es relativamente una nueva técnica de análisis de defectos. Esta técnica detecta la luz de distintas longitudes de onda que son emitidas por partes defectuosas, durante la operación de los dispositivos y que normalmente no son visibles al ojo humano, por ser de bajo nivel. La microscopia de fotoemisión utiliza una tecnología de intensificación de imagen para amplificar la luz emitida por las partes defectuosas. La imagen de la radiación resultante se superpone con su correspondiente imagen de la superficie (de un chip por ejemplo), de modo que el lugar de emisión coincide con la ubicación exacta del defecto. Una cámara térmica infrarroja y una computadora se utilizan para llevar a cabo esta función. En este momento, otras técnicas de análisis de fallos son realizadas para buscar la anomalía física responsable por la emisión de luz anormal.

Esta configuración puede ser expandida a un espectroscopio, sustituyendo el divisor de haz y el filtro por un elemento de dispersión adecuado (básicamente también un filtro). El análisis espectral de las emisiones de fotones pretende proporcionar una información mucho más detallada – porque cada defecto tiene su propia firma espectral. La mayoría de cámaras SWIR ya están preparadas para esta tarea, ofreciendo una montura C y orificios de montaje para un espectrómetro. Las aplicaciones de la microscopía de fotoemisión incluyen la detección de electroluminiscencia previamente desconocida o no detectable; detección de abundante luminiscencia en uniones con averías, defectos de encaje, corrientes ocasionadas por transistores MO y la detección de electroluminiscencia dieléctrica del flujo de corriente através de SiO2 y SiN.

INFAIMON ha colaborado con varias ingenierías en el desarrollo de proyectos de control de calidad en semiconductores utilizando la cámara Xeva 1.7-320 de Xenics. XEVA 1.7-320 es una Cámara Térmica que captura imágenes en el espectro de longitudes de onda entre 0.9 y 2.5 micrómetros, y que combina un detector Ingaes refrigerado termo eléctricamente y la electrónica de control y comunicación en un espacio muy reducido.

La tecnología infrarroja se está convirtiendo en una herramienta esencial en aplicaciones de electrónica y en un futuro cercano será cada vez más utilizada para incrementar el rendimiento y proporcionar un carácter económico a estos dispositivos.